بهبود عملکرد ابزارهای الکترونیکی بر پایه پلی تیوفین به روش مهندسی گاف انرژی در حضور گرافین.
نویسندگان
چکیده مقاله:
نظریه تابعی چگالی (DFT) و نظریه اختلال بس ذره‌ای G0W0 به منظور بررسی تغییر خواص الکترونی پلیمر پلی‌تیوفین (PT) در مجاورت گرافین به کار گرفته شدند. نتیجه تحلیل تغییر چگالی بار نسبت به قبل از برهمکنش متقابل، نشان دهنده‌ی شکل-گیری دوقطبی الکتریکی قوی و جذب از نوع فیزیکی در سطح می‌باشد. تغییر پتانسیل الکتریکی محاسبه شده نشان‌دهنده‌ی تغییر تابع کار به مقدار از مقدار اولیه آن است. نتایج به دست آمده ازDFT تغییری را در گاف انرژی پلیمر نشان نمی‌دهند، در حالی که تغییر گاف انرژی در مجاورت گرافین نسبت به زنجیره منفرد که از نتایج نظریه اختلال بس‌ذره‌ای G0W0 به دست آمده است چشمگیر است.
منابع مشابه
رسانش اسپینی گرافین گاف دار
در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...
متن کاملاثر گاف انرژی در رسانندگی گرافین تک لایه گاف دار
برای بررسی عبور امواج الکترونی در ابرشبکه گرافین گاف دار، از روش ماتریس گذار استفاده کردیم. در گرافین برخلاف سیلیکون نیم رسانا، بین باندهای هدایت و ظرفیت فاصله ای ندارد. چنین گافی(باند گپی) برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد که جریان الکترونها را قطع و وصل کند. راه حل برای برطرف کردن این مشکل، ایجاد گاف در طیف گرافین است. از دیدگاه فرمیون های دیراک، این معادل تولید ج...
15 صفحه اولبررسی روش های بهبود چسبندگی عایقEPDM به سوخت جامد بر پایه پلی یورتان(علمی-ترویجی)
عایق های بر پایه ترپلیمر اتیلن- پروپیلن- دی ان مونومر ((EPDM در صنایع موشکی کاربرد وسیعی دارند با این حال به لحاظ ساختار غیر قطبی آن، تلاش برای بهبود چسبندگی EPDM به سوخت جامد کامپوزیت بر پایه پلی یورتان از چالش های بزرگ صنعت مذکور می باشد. در این مقاله پارامترهای موثر در چسبندگی عایق به سوخت جامد بر پایه پلی یورتان مرور شده، روش های اصلاح سطح و توده عایق حرارتی بر پایه EPDM مطرح و پیشنهادهایی ...
متن کاملاثرهای ناخالصی بر روی پهنای گاف انرژی
The basic requirements of the CdS thin films on their applications are high optical transparency, low electrical resistivity, and better crystalinity (e.g.high orientation). Firstly, we prepared CdS films by thermal eveporation techniques on glass substrate and then studied their photoconductivity from room temperature to 200 . Secondly, we prepared CdS films with impurities of Cu, Ag, Au and...
متن کاملمهندسی گاف انرژی نانوسیم کربنی اشباع شده و مطالعه تاثیرات آلائیدگی با مولکول آمونیاک به کمک محاسبات آغازین (Ab initio)
In this paper size effects, growth orientation and also doping by Ammonia molecule (NH3) on the carbon nanowire properties with saturated diamond structure by (DNw:H) have been investigated. This study was carried out using DFT theory and Kohn-Sham equation by self-consistent field (SCF) that performed by local density approximation (LDA). The nanowires morphology is cylindrical with [111] grow...
متن کاملتهیه و شناسایی پلی(اتر آمید ایمید)های جدید بر پایه پیریدین به روش پلی تراکمی
تهیه پلی(اتر آمید ایمید)های آروماتیک نوین حاوی ساختار پیریدین در این پژوهش انجام شد. بدین منظور یک دی آمین جدید طی دو واکنش متوالی سنتز شد. در این راستا فراورده به دست آمده از واکنش جانشینی هسته دوستی 4و4َ- اکسی دی آنیلین با 6-کلرو نیکوتینوئیل کلراید به صورت یک فراورده دی کلره به دست آمد که واکنش آن با 5- آمینو-1- نفتول منجر به تشکیل یک دی آمین جدید با خصوصیات ساختاری ویژه شد. در ادامه واکنش پلی...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 8 شماره 19
صفحات 182- 198
تاریخ انتشار 2019-02-20
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023